碳化硅海外龙头企业扩产潮，纷纷瞄准8英寸

今日消息，英飞凌将大幅扩建马来西亚居林的SiC产能，将在 2022 年 2 月宣布的投资之上，追投50亿欧元新建一个全球最大的8吋SiC工厂。

据悉，该计划的扩张得到了客户承诺的支持，其中包括汽车和工业应用领域约 50 亿欧元的新设计胜利以及约 10 亿欧元的预付款。

未来五年，加上 Villach 和 Kulim 计划的 200 毫米 SiC 转换，这项投资将在本十年末带来约 70 亿欧元的年 SiC 收入潜力。这个竞争激烈的制造基地将支持英飞凌在本十年末实现 30% 的 SiC 市场份额目标。英飞凌有信心公司2025财年的SiC营收将提前实现10亿欧元的目标。

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据悉，英飞凌该扩张计得到了客户的广泛支持，资金来源包括：汽车和工业应用领域约50 亿欧元的新定点合同，以及现有和新客户约 10 亿欧元的预付款。

新定点的客户包括3家中国汽车企业。英飞凌公布的名单中有福特、上汽和奇瑞。可再生能源领域客户包括SolarEdge和中国三大领先的光伏和储能系统公司。

海外龙头纷纷瞄准8英寸扩产

1.Wolfspeed最早布局

2015年Wolfspeed便对外展示了8英寸碳化硅衬底。2019年5月，Wolfspeed宣布投入10亿美元进行莫霍克谷新厂的建设。4月26日，全球最大的碳化硅供应商Wolfspeed公司宣布其位于美国纽约州莫霍克谷的碳化硅制造新厂开业，首批碳化硅晶圆已在早些时候开始制造。这座工厂采用的是8英寸碳化硅晶圆加工技术，也是全球首条8英寸生产线。这座工厂的启动，加快了碳化硅行业从6英寸向8英寸晶圆过渡的步伐。

上个月，Wolfspeed发布消息称公司已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET，首批供应的产品型号为C3M0040120K。也是这批次产品的正式交付，对碳化硅器件价格竞争更为剧烈起到了推动作用。

而随着莫霍克谷工厂的投产，Wolfspeed也对未来的增长更加看好，近期，Wolfspeed已经将2024财年的收入目标上调至10亿至11亿美元，同比增长34%~47%。

在衬底端，Wolfspeed往8英寸方向变革也显露出了更大的布局规划，2022年9月9日，Wolfspeed 宣布，将投资约13亿美元（约90亿人民币），在北卡罗来纳州新建一个号称世界上最大的碳化硅衬底工厂。新工厂计划建于查塔姆县（Chatham County），临近Wolfspeed 已建成的达勒姆（Durham）碳化硅衬底工厂。

2.罗姆第三座新工厂导入8英寸

Rohm预计，新的生产基地预计到2030财年满产，届时碳化硅产能将达到2021财年的35倍。

3.ST与湖南三安合资扩产8英寸

6月8日，据意法半导体官网消息，公司与三安光电宣布，双方已签署协议，在中国重庆建立一个新的200mm碳化硅器件制造合资企业。该项目的完成有待监管部门批准。

据透露，新的碳化硅工厂计划于2025年第四季度投产，预计在2028年全面建成，以支持中国汽车电气化以及工业电力和能源应用不断增长的需求。与此同时，三安光电将单独建设和运营一个新的 200mm SiC 衬底制造工厂，以满足合资企业的需求，使用自己的 SiC 衬底工艺。

值得一提的是，该合资企业将使用意法半导体专有的碳化硅制造工艺技术，专门为意法半导体生产碳化硅器件，并作为意法半导体的专用代工厂，支持其中国客户的需求。

3.博世收购TSI半导体，2026年生产8吋碳化硅晶圆

今年5月，据路透社报道，德国博世集团（BOSCH）已经同意收购总部位于美国加利福尼亚州罗斯维尔（Roseville）的芯片制造商TSI半导体（TSI Semiconductors）的关键资产，并宣布再投资15亿美元扩大其在美国的电动汽车用碳化硅芯片的产能。

据了解，此次收购包括 TSI 建物、机器和基础设施、商业半导体业务。博世还将投资15亿美元改建工厂，并计划于2026年在其1万平方英尺的无尘室生产8吋碳化硅晶圆。

博世并未公布收购金额，同时强调，实际的后续投资金额将视美国芯片法案补助额决定。

资料显示，TSI半导体在美国加州 Roseville 有座 8 吋晶圆厂，员工有 250 人，为客制化 (ASIC) 芯片的专业代工商。TSI罗斯维尔工厂生产的碳化硅芯片可以为电动汽车提供更长的续航里程，充电速度更快，因此在电动汽车领域的需求将日益增长。根据博世的说法，市场对碳化硅半导体的需求正以每年30%的速度增长。收购完成后该厂将与博世位于德国两座晶圆厂成为博世的三大支柱。

虽海外市场扩产脚步已纷纷转向8英寸，但实际大规模量产仍需几年时间。

意法半导体汽车和分立器件产品部功率晶体管事业部市场沟通经理Gianfranco DI MARCO表示，硅基半导体的发展历史证明，改用更大尺寸的晶圆可以提高生产率。这是越来越多厂商积极推进8英寸晶圆的主要原因之一。

但碳化硅晶圆向8英寸升级并不容易，即便有少数几家公司能够成功量产8英寸晶圆也不意味着碳化硅的8英寸时代就此到来。IGBT发明人B.Jayant Baliga演讲时就曾指出，碳化硅功率器件可以用更短的沟道长度和更小的单元尺寸来实现传统器件的功能。但碳化硅与硅基半导体材料相比，衬底生长极为困难和缓慢，8英寸与6英寸碳化硅晶圆的工艺有很大差别，也更加复杂。

目前，我国碳化硅衬底晶圆制造领域，量产生产线仍以6英寸为主，且有效产能仍较低，还需攻克良率及成本问题，产线升级8英寸还有难度。国内目前津少量企业新建/扩产产能以购买6-8兼容的设备机台，来为即将到来的8英寸时代做储备。

面对8英寸时代的挑战，国内器件厂商应与衬底、外延等原材料厂商积极配合，充分整合国内产业链企业，共同开发8英寸材料、工艺等技术，包括降低芯片导通电阻及芯片面积，提高单晶圆产出。同时整合国内供应链，利用国产衬底外延材料价格及产能优势，降低成本提高产出，在研发、技术、工艺、质量、产业化等多个维度全面提升核心竞争力。

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